投资要点:
中低压MOSFET价格整体稳定，高压MOSFET部分价格有所上涨。根据正能量电子网显示的功率器件渠道报价，我们整理了海外主要厂商MOSFET等产品的价格。就MOSFET产品而言，中低压小信号MOSFET价格自21Q4下行以来一直稳定。中高压MOSFET方面，总体是稳中有升。比如安三美的150V沟槽产品价格保持稳定，而其500V超级结产品价格继续保持高位。凌影5月100V整车调控产品较4月小幅上涨，说明整车调控需求依然良好。
IGBT的物价稳定。我们选取了600V和1200V两款产品来跟踪IGBT单管的市场现状。从数据中可以看出，进入Q2后，IGBT单管价格保持稳定，其中1200V产品价格环比持平，而安三美、英飞凌的600V产品较Q1仍有一定程度的上涨。由于IGBT单管下游应用广泛，包括工业、光伏、充电桩、汽车等。，预计在需求热潮的推动下，今年IGBT单管价格将维持在高位。
SiC器件的报价持续下降，SiC器件与硅基器件的价格差在逐渐缩小。根据CASA Research统计的半导体器件分销商在线平均报价，SiC肖特基二极管(SBD)和SiC MOSFET器件近年来逐渐下滑，650v SiC SBD 2018-2020年复合下滑达到25%，而650V SiC MOSFET达到32%。
随着SiC器件价格的下降，SiC器件与硅基器件的价格差异正在逐渐缩小。
高压SiC和硅基之间的价格差异缩小得更加明显。根据元器件分销商Mouser的数据，我们选择了650V和1200V IGBT单管和SiC MOSFET进行价格比较。在650V产品上，SiC MOSFET的渠道报价是IGBT单管的3.8倍，而在1200V产品上，SiC MOSFET的渠道报价是IGBT单管的3.5倍，可见SiC MOSFET在高压领域的价格差异更小。根据CASA Research的数据，SiC器件的实际交易价格基本上是公开报价的60%-70%左右，因此我们预计SiC和硅基器件的实际交易价格之间的差异可能会缩小到3倍以下。
投资建议:建议关注受益于下游需求景气和电力设备国产化加速的公司。标的包括:宏伟科技、士兰威、斯达半导体、时代电气、信捷能、杨洁科技。
风险:下游需求不及预期，行业竞争加剧风险，产品迭代升级进度不及预期风险。
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